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Nitrogen Doped Silicon Carbide Process On Plasma Enhanced Cvd Tool

Avis d'appel d'offres

Des informations générales

Chine
   ti:0705-174016203747
   Avr 20, 2017
   Mai 9, 2017
   Anglais
   Autre

Adresse de contact

   14F. Mei Li Yuan Mansion 358 Yan An Road (W), Shanghai, China Attn: Ma Qin
Chine
   +86-86-21-62791919-176

Marchandises, Travaux et Services

Machines et appareils microélectroniques  

Texte original

      
Tenders are invited for Nitrogen doped silicon carbide process on plasma enhanced cvd tool 1) Nitrogen doped Silicon Carbide Process on Plasma Enhanced CVD tool, Quantity: 1set Price of Bidding Documents: ??1000/$150/$150 Beginning of Selling Bidding Documents: 2017-04-10 Ending of Selling Bidding Documents: 2017-04-17 Deadline for Submitting Bids/Time of Bid Opening (Beijing Time): 2017-05-09 1330

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